Los procesadores pueden seguir sumando núcleos y las GPU disparando su capacidad de cálculo, pero de poco sirve si los datos no llegan a tiempo, es la eterna espera. Micron tiene claro dónde está uno de los grandes cuellos de botella del hardware y ha detallado sus próximos pasos para combatirlo: DDR6 con más del doble de ancho de banda que DDR5, LPDDR6 con menor consumo y NAND Flash G11 de más de 400 capas. Tres avances con la IA como gran impulsora, aunque su recorrido también alcanza al hardware que acabaremos utilizando en nuestros equipos.

Eso sí, hablamos de una hoja de ruta tecnológica, con objetivos de rendimiento y producción. Todavía faltan las especificaciones comerciales y las fechas de llegada de buena parte de estos productos.

Micron apunta a más del doble de ancho de banda con DDR6 y a reducir el consumo con LPDDR6

La cifra más llamativa corresponde a DDR6, para la que Micron fija un objetivo de más de dos veces el ancho de banda de DDR5. El fabricante la sitúa específicamente en servidores y destaca la fiabilidad como parte de su propuesta. Por tanto, aún no estamos ante el anuncio de los módulos que montaremos en nuestro próximo PC.

¿Significa esto que el equipo rendirá el doble? Evidentemente, no. El ancho de banda determina cuántos datos puede mover la memoria por unidad de tiempo, pero la mejora final dependerá de la aplicación, del procesador y de cuánto limite actualmente la RAM. Micron tampoco concreta aquí velocidades en MT/s, latencias o una fecha de lanzamiento de DDR6 para escritorio.

Con LPDDR6, el foco cambia hacia el consumo. La compañía marca una mejora superior al 35 % frente a LPDDR5, con móviles y centros de datos como destinos explícitos. Conviene quedarse con esa referencia: la comparación comunicada es con LPDDR5, sin identificarla como una comparación frente a LPDDR5X.

Para los futuros portátiles, reducir el gasto de la memoria puede ayudar al presupuesto energético del equipo, aunque ese porcentaje no se traduce directamente en un 35 % más de autonomía. Además, Micron trabaja con Meta para impulsar LPDDR6 como arquitectura de memoria para centros de datos, donde mover más información sin disparar el consumo es una prioridad.

NAND G11 superará las 400 capas y duplicará aproximadamente la densidad de G9

En almacenamiento, la protagonista es NAND Flash G11, con más de 400 capas, unión de obleas mediante wafer-on-wafer bonding y aproximadamente el doble de densidad de bits frente a G9. Dicho de forma sencilla: más capacidad de almacenamiento en una misma superficie de silicio.

Aquí también hay que separar conceptos. Un 50 % más de velocidad de E/S en la NAND no garantiza SSD un 50 % más rápidos: la controladora, la interfaz y el tipo de acceso también condicionan el resultado. Del mismo modo, duplicar la densidad no garantiza que el precio por terabyte se reduzca a la mitad.

Micron prevé escalar la producción de G11 en el segundo semestre de 2027, así que no están tan lejos. Esa es la fecha concreta para su nueva NAND, y no debe confundirse con una llegada conjunta de DDR6 y LPDDR6. La dirección está clara: más datos por segundo, más capacidad y menos energía para moverlos. Ahora falta ver cómo aterrizan esas mejoras en productos y, sobre todo, a qué precio.