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PostHeaderIcon Samsung logra DRAM un 50% más densa bajo 10 nm


Samsung logra un avance sin precedentes al aumentar un 50% la densidad de memoria DRAM por debajo de los 10 nm, permitiendo mayor capacidad en dispositivos sin aumentar su tamaño.



PostHeaderIcon Investigadores del Proyecto Google Zero consiguen vulnerar módulos de memoria RAM


Investigadores del proyecto Google Zero han desarrollado un ataque en algunos chips de memoria DDR3 para poder obtener derechos sobre kernel en sistemas Linux o entornos sandbox  El ataque llamado "Rowhammer" ya es un problema con algunos chips de memoria DRAM y ya se debatió el año pasado por investigadores.