Samsung se ha plantado en la FMS 2026 con varias propuestas de memoria que van bastante más allá de limitarse a aumentar velocidad y capas, muy similar a lo que hemos visto con Kioxia y Sandisk hace unas horas. Y es que con zHBM Samsung quiere cambiar directamente la posición que ocupa la memoria de alto ancho de banda dentro de los aceleradores de IA, mientras que con su V10 BV-NAND estrena una arquitectura de unión de obleas capaz de superar las 400 capas y aumentar la densidad un 58% frente a la generación V9. Y no hablemos de la zNAND-O, un despliegue de potencia y fuerza impresionante.

Si sus máximos rivales se habían puesto el galardón de albergar la mayor cantidad de capas de la industria, el trono les duró entre poco y nada, porque aquí llega “papá” Samsung a poner todo en su sitio. Como la presentación es doble, vamos primero con lo más disruptivo y terminaremos con lo más impactante visto lo visto esta mañana.

Samsung zHBM, que se preparen todos para dar la bienvenida a la nueva generación de memoria de alto rendimiento y ancho de banda

La idea de zHBM parte de un problema muy sencillo de entender, aunque técnicamente sea bastante complicado de resolver: la HBM actual se coloca junto al procesador o acelerador mediante un encapsulado avanzado, pero Samsung propone situarla verticalmente encima del propio chip de IA, reduciendo así la distancia que deben recorrer los datos y dejando atrás la distribución horizontal utilizada en los diseños convencionales.

Según la compañía, un sistema de interfaz de próxima generación que incorpore zHBM podría ofrecer aproximadamente ocho veces el rendimiento de HBM5, por lo que no estamos hablando necesariamente de una pila/stack de memoria ocho veces más rápida por sí sola, sino del resultado completo de integrar procesador, interfaz y memoria en una estructura tridimensional mucho más compacta. Tremendo, pero esto solo es una parte de la ecuación, porque la otra es igualmente impactante.

Samsung también asegura que esta arquitectura puede superar en más de diez veces la densidad de memoria de HBM5 gracias al bonding de nueva generación, mientras triplica la eficiencia energética y reduce la resistencia térmica en más de un 50%, un punto especialmente delicado cuando se pretende colocar una gran cantidad de DRAM directamente encima de un acelerador que ya consume y genera muchísimo calor. Entre ambas partes existiría además una capa intermedia capaz de integrar propiedad intelectual personalizada, permitiendo adaptar capacidad, funciones y comunicación interna a las necesidades de cada cliente.

La NAND Flash no para de superarse en cada generación y vuelve a tener un ritmo consistente de avance tras años atascada: V10 VB-NAND y zNAND-O

La segunda pieza del anuncio es V10 BV-NAND, la nueva generación de memoria flash de Samsung y la primera de la compañía basada en Bonding V-NAND, una arquitectura construida mediante unión de obleas que permite superar las 400 capas sin continuar arrastrando todas las limitaciones físicas de una NAND convencional. El resultado anunciado es un aumento de densidad cercano al 58% frente a V9, acompañado de mejoras en lectura, escritura, rendimiento de entrada y salida y eficiencia energética, aunque Samsung todavía no ha detallado la capacidad de cada die, la velocidad de la interfaz ni cuándo comenzará su producción en volumen.

Todo esto forma parte de una hoja de ruta para infraestructura de IA que también incluye HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM y zNAND-O, esta última planteada como una NAND tridimensional de baja latencia para Edge AI con versiones de cuatro y ocho capas. Por ahora, zHBM continúa siendo un modelo conceptual y Samsung no ha puesto fechas sobre la mesa, pero la propuesta deja claro hacia dónde quiere llevar la memoria para IA: ya no basta con colocar más HBM alrededor del acelerador, XPU o GPU, ahora toca construir literalmente encima de él. Y además, con V10 BV-NAND pasa por encima de SK hynix, Kioxia y Sandisk para liderar una vez más la industria, ¿quién les va a parar ahora? No hay respuesta inmediata, y seguramente no llegue hasta 2027, año clave como pocos.