SK hynix se encuentra preparando una importante ampliación de su producción de memoria NAND Flash en China, reactivando la segunda fase de su complejo de Dalian tras varios años prácticamente paralizada. La operación se realizará a través de Solidigm, su filial especializada en almacenamiento empresarial, y permitirá incrementar aproximadamente en un 50% la capacidad de fabricación NAND del complejo chino a partir de 2027.

Esta planta, conocida como Dalian Plant 2, está diseñada para aportar unas 50.000 obleas al mes adicionales. Sumadas a las aproximadamente 100.000 obleas mensuales de la primera planta, el complejo alcanzaría una capacidad cercana a las 150.000 obleas al mes. La instalación de maquinaria podría comenzar en noviembre de 2026 y la producción en volumen está prevista para la primera mitad de 2027.

SK hynix reactiva una fábrica NAND que llevaba años prácticamente paralizada

La historia de Dalian está directamente relacionada con la compra del negocio NAND y SSD de Intel por parte de SK hynix. La compañía surcoreana adquirió los activos de Intel (Intel Optane y 3D NAND) por unos 9.000 millones de dólares y posteriormente creó Solidigm para gestionar gran parte de este negocio, incluyendo la fábrica china que Intel utilizaba para producir memoria NAND 3D. Sin embargo, la fuerte caída del mercado de memoria entre 2022 y 2023, junto con las restricciones estadounidenses sobre la exportación de equipamiento avanzado para fabricar chips en China, hizo que los planes de expansión se paralizaran.

Tras una pausa de aproximadamente cuatro años, SK hynix habría terminado ya buena parte de la construcción correspondiente a la segunda fase y se prepara para instalar el equipamiento de producción. TrendForce había adelantado en julio que la compañía ya estaba reactivando la Dalian Plant 2 y situaba la nueva capacidad prevista entre 30.000 y 50.000 obleas mensuales, con una línea V8 de NAND 3D de unas 238 capas. Al mismo tiempo, la Dalian Plant 1 está siendo modernizada, sustituyendo la maquinaria antigua y migrando sus líneas hacia NAND de mayor densidad.

La estrategia tecnológica de Dalian es especialmente interesante porque Solidigm continúa explotando la arquitectura Floating Gate heredada de Intel, especialmente interesante para NAND QLC de gran capacidad. La nueva instalación debería comenzar a producir este tipo de NAND 3D durante la primera mitad de 2027. Ahora bien, el problema está en que Solidigm está orientando gran parte de esta producción hacia SSDs empresariales de enorme capacidad, precisamente uno de los segmentos que más está creciendo por la expansión de los centros de datos dedicados a inteligencia artificial.

Más NAND para alimentar SSD de gran capacidad y aliviar la escasez en 2027

El momento escogido para aumentar la producción de memoria NAND no es casual. El mercado NAND atraviesa en 2026 una situación de oferta limitada después de varios años en los que los fabricantes restringieron inversiones y capacidad para recuperar los precios. Según TrendForce, el mercado NAND mantendría durante 2026 un déficit de oferta de entre el 4% y el 5%, impulsado principalmente por el crecimiento de servidores y almacenamiento para infraestructura de IA. De hecho, los servidores ya representarían más del 40% de la demanda mundial de bits NAND.

SK hynix quiere aprovechar precisamente este segmento mediante Solidigm. La compañía posee una posición especialmente fuerte en SSD empresariales de alta capacidad y está preparando unidades cercanas a los 245 TB de capacidad, cuya fabricación requiere cantidades enormes de chips NAND QLC. El aumento de capacidad de Dalian permitiría fabricar estos SSD a mayor escala durante 2027 y, al mismo tiempo, mantener las plantas surcoreanas más enfocadas en procesos NAND de última generación.

Para el mercado general de almacenamiento, la expansión de producción de NAND de SK hynix podría ayudar a relajar la presión sobre los precios. Ahora bien, esto no implica automáticamente que los SSD bajen de precio a comienzos de 2027. Ahora bien, la presión de la memoria NAND es muy inferior respecto a la de la DRAM, por lo que cualquier mejora de capacidad será igualmente recibida.