YMTC, uno de los mayores fabricantes chinos de memoria NAND Flash, acaba de convertirse oficialmente en un nuevo fabricante de memoria DRAM. La compañía ya se encontraría en la primera fase para fabricar sus primeros chips de memoria LPDDR5X, siendo lo más importante de todo que inicia su producción con memoria de alto rendimiento capaz de alcanzar una velocidad de hasta 9.600 MT/s. Todo ello es posible gracias a la nueva planta Fab 3 que había construido en una ciudad china que quizás te resulte familiar: Wuhan. No obstante, el proyecto todavía se encuentra en fase de desarrollo. Es por ello que deberá superar sus objetivos de rendimiento y validación antes de iniciar la producción en masa.

El movimiento resulta especialmente relevante porque YMTC ha estado únicamente centrada en fabricar memoria NAND. Su intención es aprovechar parte de la experiencia adquirida con tecnologías como su arquitectura propietaria Xtacking, donde los circuitos periféricos y las matrices de memoria pueden fabricarse por separado para posteriormente unirse mediante técnicas avanzadas de bonding, para desarrollar también nuevas arquitecturas de memoria DRAM.

YMTC apuesta por celdas 4F² y transistores verticales para alcanzar los 9.600 MT/s

La nueva memoria utilizaría una arquitectura de celdas 4F² basada en transistores de canal vertical (VCT). Frente a las estructuras 6F² convencionales, este diseño permite reducir en torno a un tercio la superficie ocupada por cada celda de memoria manteniendo el mismo proceso de fabricación, aumentando así la densidad sin depender exclusivamente de procesos litográficos cada vez más pequeños. Algo que limita enormemente a la industria china debido a las sanciones estadounidenses.

Para YMTC esto resulta especialmente útil debido a que los procesos de fabricación más avanzados del país son escasos y destinados a chips de alto rendimiento e IA, no para fabricar memoria. Y es que la compañía fue añadida a la Lista de entidades del Departamento de Comercio estadounidense en diciembre de 2022. Es decir, que necesita encontrar alternativas técnicas que le permitan aumentar la densidad y el rendimiento utilizando equipamiento al que todavía puede acceder. Es decir, equipamiento litográfico de procesos maduro.

La velocidad de 9.600 MT/s para los chips de memoria LPDDR5X sitúan a YMTC dentro de las soluciones más avanzadas. Sin embargo, alcanzar esa cifra en un prototipo no garantiza que el diseño pueda fabricarse de forma rentable a gran escala. YMTC todavía tendrá que demostrar buenos niveles de rendimiento de fabricación, fiabilidad, consumo energético y costes antes de poder competir comercialmente con fabricantes consolidados como Samsung, SK Hynix o Micron.

YMTC ya lleva un año experimentando con DRAM LPDDR5 en su Fab 2

Este proyecto de 9.600 MT/s no sería el primer intento de YMTC en el mercado DRAM. Desde octubre de 2025, la compañía trabaja en su Fab 2 con una segunda generación de memoria LPDDR5 de 16 Gb a unos 7.500 MT/s, utilizando aproximadamente 5.000 obleas al mes para investigación, desarrollo y pruebas. Este diseño todavía no utiliza procesos HKMG y, según la firma de análisis Counterpoint Research, continúa en fase experimental. Esto significa que aún no hay planes confirmados para una producción comercial a gran escala.

La memoria de 9.600 MT/s sería el siguiente paso. En este caso YMTC introduciría la nueva estructura VCT 4F² y trasladaría su futura fabricación a la Fab 3. Hablamos de una fábrica mucho más ambiciosa que también forma parte de los planes de expansión de capacidad de la compañía. Counterpoint indica expresamente que la producción en masa está prevista para esta fábrica si el producto consigue superar los objetivos técnicos fijados. De esta forma, YMTC se sumará a CXMT para comenzar a contrarrestar la producción controlada y precios pactados por Samsung, SK Hynix y Micron.