El antiguo CEO de CXMT utilizó a exingenieros de Samsung para obtener información confidencial sobre la DRAM y acelerar el desarrollo tecnológico de su empresa.

CXMT, el fabricante chino, expande su capacidad de producción de memoria DRAM y podría igualar la de Micron este año, alterando el equilibrio del mercado mundial.

Huawei planea construir su propia fábrica de memoria DRAM para reducir la dependencia tecnológica de proveedores extranjeros.

La creciente demanda de centros de datos de IA provocará que en el Q3 2026 el precio de la DRAM suba hasta un 18% y la NAND hasta un 15%.

Samsung y SK Hynix divergen en sus estrategias para la DRAM de 7ª generación, debatiendo entre aumentar la altura o la densidad plana para superar los límites de los 10 nm.

Micron advierte que la IA seguirá tensionando la demanda de memoria DRAM, NAND y HBM, convirtiéndose en el nuevo petróleo tecnológico, ya que el sector enfrenta un cuello de botella prolongado más allá de las GPU.

Intel presenta su alternativa a HBM con HB3DM, una memoria ZAM apilada en 9 capas y sustratos DRAM de solo 3 µm, innovando en el diseño vertical para competir en ancho de banda.

Samsung logra un avance sin precedentes al aumentar un 50% la densidad de memoria DRAM por debajo de los 10 nm, permitiendo mayor capacidad en dispositivos sin aumentar su tamaño.

Samsung aumenta hasta un 60% los precios de la DRAM, afectando a RAM de PCs, HBM para IA, servidores y móviles, lo que encarecerá múltiples dispositivos tecnológicos.