IBM ha superado a TSMC, Intel y Samsung al crear un chip de 0,7 nm con 100.000 millones de transistores para IA, rompiendo la barrera del nanómetro mediante un diseño en tres dimensiones.

Intel prepara el lanzamiento de Raptor Lake Next, una plataforma que supondría el regreso al socket LGA 1700 para responder a la crisis del mercado de semiconductores.

SpaceX admitió en sus documentos para salir a bolsa que necesita muchos más chips de IA de los que puede obtener actualmente para escalar su IA orbital. Para solucionar esto, planea crear TeraFab, una planta de semiconductores propia junto a Tesla y xAI. Sin embargo, la empresa advierte que este ambicioso proyecto podría fracasar o perder el apoyo de sus socios.

Samsung y SK Hynix divergen en sus estrategias para la DRAM de 7ª generación, debatiendo entre aumentar la altura o la densidad plana para superar los límites de los 10 nm.

Qualcomm y Samsung colaboran para desarrollar chips de 2 nm con tecnología ultrapotente y eficiente para 2027, superando límites actuales en rendimiento.

China’s Yangtze Memory Technologies tiene previsto construir dos fábricas más allá de la planta de la Fase 3 que está previsto que complete en Wuhan este año.

La inversión en políticas industriales de semiconductores en China ascendió a unos 142.000 millones de dólares entre 2014 y 2023, aproximadamente 3,6 veces más que los 39.000 millones de dólares comprometidos por Estados Unidos en el mismo período. 

Taiwanese chip makers piden al gobierno que almacene helio y gas natural licuado — TSIA solicita suministros estratégicos mientras EE.UU. e Irán firman un alto el fuego en Oriente Medio Noticia: La alianza de la industria de semiconductores de Taiwán está instando al gobierno a ampliar sus reservas estratégicas de GNL (gas natural licuado) y helio, encontrar proveedores alternativos y reactivar las centrales nucleares para garantizar la estabilidad en tiempos de crisis.

Un equipo de investigadores ha desarrollado el chip de memoria más potente del mundo, capaz de funcionar a 700 ºC y retener información por más de 180 horas, utilizando grafeno y tungsteno para operar en condiciones extremas.