Z2RAM: Una posible solución al déficit de memorias

• Nagare Labs, una innovadora compañía de semiconductores nacida en el Instituto Tecnológico de Georgia, ha presentado Z2RAM, una nueva tecnología de memoria diseñada para combatir la crisis actual del sector. Este proyecto cuenta con el respaldo financiero de Playground Global, firma dirigida por el antiguo máximo responsable de Intel, Pat Gelsinger.

Z2RAM es una nueva tecnología de memoria desarrollada por Nagare Labs, una empresa emergente de semiconductores surgida del Instituto Tecnológico de Georgia (Georgia Tech) que ha salido a la luz pública con una financiación liderada por Playground Global, una firma de capital riesgo de la que es socio general el anterior CEO de Intel, Pat Gelsinger.

La situación del mercado tecnológico tiende a la catástrofe. La crisis de las memorias provocada por el acaparamiento de producción de la insaciable infraestructura de IA, está afectando negativamente a cualquier dispositivo electrónico de consumo y a todos los segmentos: clientes, empresas, fabricantes de equipos originales y minoristas.

Los últimos datos que llegan de las consultoras son terribles. La venta de PCs se ha desplomado un 21% en el tercer trimestre y para el último de 2026 se espera otro -27%. Anoche conocimos que Intel caía en bolsa casi un cuarto de su valor por el descenso de venta de procesadores para PCs. Los resultados de Microsoft tampoco invitan al optimismo, reportando una caída del 22% en los ingresos por dispositivos y licencias OEM.

Y lo peor es que no hay solución a corto plazo. SK Hynix, uno de los tres gigantes en el suministro de memorias, prevé que la escasez persista al menos hasta 2030. Terrible…

Z2RAM, ¿un alivio?

En este escenario, nuevos actores como el gigante chino CXMT han surgido como una opción de producción adicional viable a corto plazo. También de interés las nuevas tecnologías que están surgiendo, prometiendo una fabricación más sencilla que las actuales. Es difícil que unas y otras se concreten en mejoras a corto plazo, de inventario y bajada de precios, pero cualquier alivio es bienvenido.

Entrando en materia, lo que hace interesante a Z2RAM es que busca combinar las mejores características de tres tecnologías de memoria existentes: SRAM, DRAM y memoria flash NAND. La idea es ofrecer velocidades similares a las de SRAM, densidad similar a la de DRAM y escalabilidad similar a la de NAND, con un menor consumo de energía y una fabricación más sencilla.

Para contextualizar, la SRAM es extremadamente rápida y se usa comúnmente en las cachés de la CPU, pero ocupa mucha más superficie en el chip, lo que encarece su escalabilidad. La DRAM, por otro lado, ofrece una densidad mucho mayor y es la que se suele encontrar en la memoria del sistema, pero es más lenta. Luego está la memoria flash NAND (utilizada en las SSD), más lenta que la DRAM, pero se puede fabricar en múltiples capas verticales, lo que permite a los fabricantes integrar mucha más capacidad de almacenamiento en un espacio más reducido.

Nagare cree que la Z2RAM puede superar estas limitaciones, ya que, a diferencia de la DRAM convencional, que utiliza un transistor y un condensador para almacenar cada bit de información, la Z2RAM utiliza dos transistores. Más concretamente, utiliza la capacitancia de puerta del segundo transistor para almacenar la carga, eliminando la necesidad de un condensador físico independiente. Esto también permite una lectura de datos no destructiva, lo que significa que la celda no necesita reescribirse después de cada operación de lectura, a diferencia de la DRAM convencional.

Otro aspecto interesante es que Nagare pretende apilar estas celdas de memoria verticalmente, de forma similar al diseño de las memorias flash NAND o las HBM para servidores, o la que más te sonará, la caché vertical 3D usada por AMD en sus procesadores con muy buenos resultados. La compañía afirma que su enfoque podría ofrecer más de cinco veces la densidad de bits de la SRAM manteniendo un ancho de banda comparable. Por lo tanto, un módulo de memoria que normalmente albergaría 64 MB de SRAM podría potencialmente alojar alrededor de 320 MB utilizando Z2RAM en la misma área.

Esta tecnología está en sus inicios, pero Pat Gelsinger (exCEO de Intel) se muestra optimista sobre sus perspectivas. Cree que la creciente demanda de infraestructura de IA ha creado una oportunidad para nuevas tecnologías de memoria, especialmente porque las soluciones existentes tienen dificultades para satisfacer los requisitos de ancho de banda y capacidad. Y especialmente de capacidad de producción y costes, algo esencial para superar el MEMOpocalipsis que tiene estrangulada la industria.