Micron lanza el primer módulo DDR5 RDIMM de 512 GB diseñado específicamente para servidores y centros de datos enfocados en la IA.

• Micron anunció el lanzamiento del primer módulo de memoria DDR5 RDIMM de 512 GB del mundo. 

Micron anunció el lanzamiento del primer módulo de memoria DDR5 RDIMM de 512 GB del mundo. Hablamos de una enorme cantidad de memoria RAM que podría utilizarse para dar vida a 16 ordenadores gaming de alta gama, pero no. Toda esta memoria se condensa en un único módulo diseñado para servidores y centros de datos. Pese a la enorme densidad, este módulo no sacrifica la velocidad pese a duplicar la capacidad de los actuales modelos de 256 GB. Y es que Micron alardea de que son capaces de funcionar a 9.200 MT/s, todo ello mientras que AMD e Intel ya están trabajando con Micron para validar el kit en sus futuras plataformas de servidor.

Evidentemente, esta gran capacidad de memoria se utilizará en servidores de IA, bases de datos, virtualización, análisis de grandes volúmenes de información y HPC. La ventaja es bastante evidente: un servidor con 24 ranuras podría instalar hasta 12 TB de memoria RAM DDR5 usando únicamente estos módulos de 512 GB. De esta forma vemos que hay DRAM o RAM para crear kits de 512 GB de capacidad, pero solo para los mercados más rentables para estas compañías.

Micron consigue meter 512 GB de DDR5 en un único módulo a 9.200 MT/s

Para alcanzar este hito en densidad, Micron recurre a un sistema avanzado de encapsulado donde varios chips de memoria DRAM se apilan verticalmente y se conectan mediante TSV (Through-Silicon Vias). Estas conexiones atraviesan físicamente el silicio y permiten aumentar drásticamente la densidad de memoria dentro de cada encapsulado sin tener que incrementar el número de chips o el tamaño del módulo.

La capacidad no es lo único llamativo de este módulo de memoria. Micron afirma que este DDR5 RDIMM de 512 GB será capaz de alcanzar 9.200 MT/s, exactamente la misma velocidad máxima anunciada para sus RDIMM de 256 GB basados en la memoria DRAM 1γ. AMD e Intel se encuentran actualmente validando estas memorias cara al lanzamiento de sus plataformas de nueva generación, por lo que el objetivo es que puedan integrarse directamente en futuras generaciones de servidores.

En determinadas cargas limitadas por memoria, la compañía ya habla de mejoras apreciables de rendimiento. Concretamente, Micron asegura haber obtenido hasta 1,4 veces más rendimiento en cargas de análisis Spark SVM frente a configuraciones DDR5 de 256 GB. La mayor capacidad también permitiría mantener conjuntos de datos mucho más grandes directamente en la memoria RAM, evitando recurrir con tanta frecuencia a sistemas de almacenamiento considerablemente más lentos.

Más eficiencia: un solo módulo que consume 16W frente a cuatro de 128 GB que necesitan 44,2W

Otra de las grandes ventajas está en el consumo energético. Según las pruebas realizadas por Micron, un único módulo de 512 GB consume 16W de energía, mientras que cuatro módulos DDR5 RDIMM de 128 GB necesarios para alcanzar la misma capacidad suman 44,2W. Esto supone una reducción del consumo energético superior al 60% manteniendo exactamente los mismos 512 GB de capacidad.

Esta diferencia tiene especial importancia en los centros de datos. En este caso no solo se reduce la electricidad utilizada directamente por la memoria, sino también en el calor generado. Esto implica también simplificar las necesidades de refrigeración. Además, concentrar más RAM en cada ranura permite aumentar enormemente la memoria instalada sin modificar el número de sockets DIMM disponibles. Con 24 módulos de RAM, un servidor de doble socket podría alcanzar esos mencionados 12 TB de DDR5 consumiendo 384W de energía. Con los módulos de 128 GB, esos mismos 12 TB requerirían de 1.060W para funcionar. Ahora bien, estos 96 módulos deberían dividirse en varios servidores distintos. Por lo que a ese consumo energético se le suma el consumo adicional del resto de cada uno de los sistemas.