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PostHeaderIcon China CXMT sacude a Samsung, SK hynix y Micron con su DRAM 4F²


CXMT planea lanzar antes de 2026 una DDR5 para servidores con arquitectura 4F2, permitiendo almacenar más información en menos espacio y amenazando el dominio de Samsung, SK hynix y Micron.





El mercado de la memoria tiene un nuevo motivo para ponerse nervioso, y esta vez llega desde China. Según lo publicado hace tres días, y ahora extendido en su complejidad, CXMT quiere lanzar antes de terminar 2026 una DDR5 para servidores con arquitectura 4F2, un cambio que permitiría almacenar más información en menos superficie. Lo que parece un anuncio más hizo temblar la bolsa de Corea del Sur, ha puesto nervioso a EE.UU. y el sector de la memoria contrajo el esfínter porque China está dando pasos adelante donde el resto ha escogido otro camino, pero tiene explicación.

La reacción ha sido contundente: Samsung perdió un 7,4% y SK hynix un 10% el martes, después de que Micron retrocediese cerca de un 4% el lunes. Ahora bien, ¿ha conseguido China adelantarse a los gigantes de la DRAM? Hay un avance importante sobre la mesa, pero conviene mirar qué se ha anunciado realmente, porque se le está dando mucho bombo a los chinos, y muy poco a occidentales y asiáticos.

CXMT apuesta por 4F2 para ganar densidad: menos superficie, pero no hablamos de 4 nm

CXMT arquitectura 4F2 para memoria

Cao Kanyu, presidente de CXMT, situó el estreno de esta tecnología en una DDR5 RDIMM, es decir, un módulo de memoria destinado a servidores. Su propuesta utiliza transistores VSG (Vertical Surrounded Gate), con un canal vertical rodeado por la puerta (Gate) que controla el paso de corriente. Dicho de forma sencilla: aprovecha la altura para ocupar menos espacio y busca controlar mejor las fugas eléctricas.

¿Y el famoso 4F2? Es una medida del área de cada celda de memoria, no un nodo de 4 nm. Frente al diseño habitual de 6F2, por lo comentado arriba, permite reducir esa superficie un 33,33% a igualdad de dimensión de fabricación. Matemáticamente, cabrían un 50% más de celdas en la misma superficie de matriz, de ahí el pánico previo explicado.

Suena espectacular, y lo es, pero eso no significa automáticamente un 50% más de capacidad por chip, ni memoria más rápida o un recorte equivalente del precio. También cuentan los circuitos auxiliares, el consumo y cuántos chips funcionales salen de cada oblea.

¿China por delante? Estrenar una arquitectura no equivale a dominar su fabricación

Estructura de transistor para CXMT 4F2

Aquí entran las críticas dentro de algunos analistas del sector, porque aseguran que CXMT buscaría adoptar 4F2 en un proceso de 13 nm a 14 nm para prolongar la competitividad de la litografía DUV, ante las dificultades para seguir reduciendo dimensiones. Esa cifra no es el nodo confirmado del futuro producto, pero no les queda mucho margen a falta de terminar sus escáneres EUV.

El argumento tiene sentido: una celda más compacta puede compensar un proceso menos avanzado. Sin embargo, tampoco podemos dar por demostrado que Samsung y SK hynix puedan producirla masivamente ahora y simplemente hayan decidido esperar.

De hecho, Samsung ya ha documentado investigación sobre DRAM 4F² con transistores verticales y unión híbrida de obleas, mientras SK hynix incluye 4F² en su hoja de ruta. El reto es convertir esas estructuras en productos fiables y rentables. El yield, explicado en dos palabras, es el porcentaje de chips buenos que obtiene el fabricante. Ahí se juega buena parte de esta batalla.

La amenaza de CXMT es comercial, aunque todavía falten las pruebas

CXMT 4F2 para memoria DDR5

CXMT llega respaldada por otros avances que vienen muy bien al caso para comentar. Su plataforma G5 ya está en producción, según la compañía, y publica un semipaso de áreas activas de 11,95 nm. Ojo: esa medida concreta tampoco debe confundirse con el nodo de su futura DDR5 4F2.

Del nuevo producto faltan velocidad, capacidad, consumo, superficie del chip y volumen comercial. Por eso, todavía no podemos coronar a CXMT como líder tecnológico, principalmente porque sus rivales en el mercado parecen que pueden hacer lo que China ya ha hecho, solo que están exprimiendo su tecnología actual porque necesitan volumen por la IA.

Sin embargo, hay una amenaza que la bolsa, tras el batacazo, sí está descontando: CXMT no necesita fabricar la mejor memoria del mundo para presionar a sus rivales. Si entrega DDR5 para servidores fiable, competitiva y en cantidad, puede ganar contratos y reducir el poder de los grandes fabricantes para mantener precios elevados.

El anuncio contribuyó a las ventas bursátiles, pero si algo hacen bien los chinos es venderse, y si bien esto es un gran anuncio, hay otras preocupaciones sobre la inversión en IA. La reacción del mercado refleja expectativas; la ventaja industrial tendrá que demostrarse en las fábricas y en los servidores de los clientes.

Dicho todo y explicado, ¿puede China realmente estirar mucho más el chicle sin pasar a EUV mientras sus rivales avanzan en varios frentes? ¿Quién les parará cuando tengan lista la tecnología y puedan igualar las prestaciones en rendimiento, consumo y densidad de los escáneres de ASML? Por lo pronto, con arquitectura 4F2, CXMT ha demostrado que donde tienen margen aprietan a cualquiera, y ese es el principal temor de EE.UU., Europa y Corea del Sur, porque en producción nadie les puede igualar, ni siquiera Samsung, SK hynix o TSMC.



Fuentes:
https://elchapuzasinformatico.com/2026/10/cxmt-dram-4f2-memoria/

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