Hay limitaciones físicas de espacio a la hora de añadir más memoria DRAM usando métodos tradicionales y eso es lo que ha incentivado a las empresas a invertir en nuevas tecnologías. Una de las más interesantes es el uso de la DRAM 3D, es decir, la capacidad de poder añadir memoria por capas verticales, pudiendo aumentar en gran medida la capacidad total. Aunque esta ya lleva unos años, ahora es el gigante de TSMC el que tendría interés en involucrarse en la producción de memoria DRAM 3D.

La DRAM 3D es un concepto que se comenzó su desarrollo hace unos años. En casos como los SSD, se puso en práctica y funcionó perfectamente, pues ya hemos visto el uso de memoria 3D NAND apilada en cientos de capas, pero claro, son distintos tipos de memoria, pues en este caso hablaríamos de DRAM que tiene una velocidad mayor y menor latencia. Países como China ya empezaron a desarrollar aceleradores de IA usando esta tecnología y ahora es el turno de Taiwán.

TSMC quiere fabricar memoria DRAM 3D a petición de NVIDIA

TSMC, el mayor fabricante de semiconductores por contrato del mundo, estaría estudiando entrar en el mercado de las memorias DRAM avanzadas mediante la producción de memoria DRAM 3D, una tecnología de próxima generación que permitiría aumentar considerablemente la densidad y capacidad de los chips. Según una información publicada por The Information, la compañía taiwanesa habría comenzado a evaluar esta posibilidad a petición de NVIDIA, su principal cliente, que busca ampliar el suministro de memoria ante la creciente demanda provocada por la inteligencia artificial y los centros de datos.

Actualmente, el mercado mundial de memoria DRAM está dominado por Samsung, SK Hynix y Micron, tres fabricantes que están aumentando sus inversiones y capacidad de producción para responder a una demanda que continúa superando la oferta disponible. La expansión de la inteligencia artificial ha incrementado especialmente la necesidad de memoria de alto rendimiento, provocando problemas de abastecimiento y fuertes subidas de precios. Incluso con las nuevas fábricas previstas, existe preocupación por que la producción siga siendo insuficiente durante los próximos años.

TSMC podría construir nuevas fábricas para centrarse en la producción de esta memoria

La tecnología DRAM 3D representa una evolución importante respecto a la memoria DRAM convencional, ya que permite organizar las celdas de memoria verticalmente, en lugar de distribuirlas únicamente sobre una superficie bidimensional. Esto facilitaría aumentar la capacidad por chip sin depender exclusivamente de reducir el tamaño de los transistores, una estrategia que encuentra cada vez más dificultades físicas y económicas. Aunque la memoria HBM también utiliza estructuras apiladas, ambas tecnologías son diferentes, puesto que HBM apila chips completos de memoria, mientras que la DRAM 3D pretende integrar las propias celdas en estructuras tridimensionales.

Según las informaciones disponibles, TSMC estaría considerando construir nuevas fábricas o adquirir instalaciones de semiconductores existentes para reconvertirlas a la fabricación de memoria DRAM. Esta segunda alternativa permitiría reducir los plazos de entrada en el mercado, aunque seguiría siendo necesario adaptar las líneas de producción a los complejos procesos de fabricación de memoria tridimensional. La iniciativa estaría dirigida por Hsu Kuo-chin, vicepresidente de TSMC responsable de tecnologías avanzadas de encapsulado y con experiencia anterior en Micron. Veremos si en un futuro próximo todo esto se cumple o no.