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PostHeaderIcon Ingeniero de Samsung acusado de filtrar datos a China


Un exingeniero de Samsung ha sido acusado de ofrecer los secretos detrás de los datos de DRAM de 10nm de la compañía a ChangXin Memory Technologies de China. Se le acusa de haber realizado cientos de notas manuscritas sobre los pasos detallados del proceso, incluyendo proporciones de flujo de gas, ajustes de fotorresistente y otras etapas críticas.


 


PostHeaderIcon Exempleados de Samsung arrestados por espionaje industrial a favor de China


Diez antiguos empleados de Samsung han sido arrestados acusados de espionaje industrial por presuntamente proporcionar a una empresa china de chips, CXMT, tecnología de 10nm. Se alega que ejecutivos e investigadores filtraron tecnología DRAM a CXMT, lo que ha causado pérdidas de billones de wones coreanos. Se acusa a los diez antiguos empleados de Samsung de filtrar la tecnología DRAM de 10nm de Samsung a CXMT, lo que supuestamente permitió a esta última lograr avances tecnológicos basados en información robada.




PostHeaderIcon Samsung ha subido el precio de su memoria DRAM y NAND Flash en un 30% y un 10%


Samsung ha subido el precio de su DRAM en un 30%, y el precio de su memoria NAND Flash en un 10%, según medios surcoreanos, que dicen que este aumento de precios se ha aplicado ya a los contratos firmados en el cuarto trimestre de 2025.

 



PostHeaderIcon Fallece Robert Dennard, el inventor de la memoria DRAM, a los 91 años


Otro pionero de la informática nos dice adiós. A Robert Dennard le debemos la miniaturización de los ordenadores y los móviles.

 



PostHeaderIcon Algunos SSD NVMe pueden perder datos cuando se va la luz


Algunos SSD NVMe son propensos a la pérdida de datos durante un apagón. Según las pruebas realizadas en 4 SSDs, dos de las unidades perdieron los datos después cuando se les cortó la energía eléctrica, en concreto fueron el SK Hynix Gold y el Sabrent Rocket.