China, según informes, ha construido y comenzado a probar un prototipo secreto de litografía EUV utilizando tecnología de plasma producido por láser al estilo de ASML. Sin embargo, a pesar de generar luz de 13.5 nm, el sistema sigue siendo incapaz de fabricar chips y parece estar a años de lograr una capacidad de fabricación EUV completa y lista para la producción. El informe afirma que los empleados recibieron identificaciones falsas para evitar que se detectara el proyecto secreto, y se esperan prototipos para 2028.