ASML mejora sus sistemas de litografía EUV alcanzando 1.000W de potencia, lo que incrementa un 50% la producción de chips y reduce costes significativamente.

ASML anunció una importante mejora con sus sistemas de litografía EUV que cambiará el panorama de los chips por "únicamente" aumentar su potencia hasta los 1.000W de energía. Según la compañía, el equipo de I+D de ASML ha logrado elevar la potencia de la fuente de luz de sus sistemas de litografía EUV hasta los 1.000 vatios. Esto supone un gran salto respecto a los actuales 600W. Gracias a este aumento de potencia, la compañía holandesa sostiene que sus sistemas de litografía EUV serán capaces de aumentar la producción de cada máquina en un 50% hacia el final de la década. Es decir, que cada sistema podría ser capaz de aumentar la producción actual de obleas en un 50%.

Esto es gracias a que, en la tecnología EUV (litografía ultravioleta extrema), más potencia es en realidad más rendimiento. En litografía, cada exposición es como “hacer una foto” sobre una oblea recubierta con fotoresina (fotolitografía). Si tienes más luz útil, puedes reducir tiempo de exposición y procesar más obleas por hora. El objetivo que pone ASML encima de la mesa es pasar de un producción actual en torno a las 220 obleas a la hora, a unas 330 obleas por hora para el 2030. Esto es bastante importante porque también abarata el coste por chip fabricado. Ya que se consigue dividir el coste de la herramienta y del tiempo de fábrica entre más obleas fabricadas.

¿Cómo ha conseguido ASML aumentar la potencia de su litografía EUV a 1.000W?

Para alcanzar los 1.000W de la litografía EUV no es tan fácil como que ASML aumente la potencia. La EUV se genera a 13,5 nm creando un plasma a partir de gotas microscópicas de estaño fundido dentro de una cámara de vacío. Gotas que son impactadas por un láser de CO₂ para que emitan radiación EUV. Esa luz se recoge y canaliza mediante óptica de precisión (firmada por Carl Zeiss) para llevarla al sistema que proyecta el patrón sobre la oblea.

En esta mejora, ASML ha conseguido duplicar la cadencia de gotas hasta unas 100.000 por segundo. A ello se le sumó cambiar la forma de “preparar” el plasma usando dos pulsos de modelado más pequeños, en lugar de un único pulso como en las máquinas actuales. Con ello consigue controlar mejor la conversión de energía y sostener la potencia sin salirse de los requisitos de operación real en fábrica.

En palabras de la propia ASML, no lo venden como un truco puntual de laboratorio, sino como algo reproducible “en condiciones a nivel de cliente”. No todo se queda aquí, y es que ASML ya avisa que ve un camino “razonablemente claro” hacia los 1.500 W, y que no hay un impedimento fundamental para alcanzar los 2.000W con el tiempo. Si eso llega, la tecnología EUV podría seguir escalando en productividad incluso cuando el coste de cada nueva generación de equipos y nodos se dispara.

Este movimiento es muy importante cuando la compañía holandesa es la única a nivel mundial capaz de producir escáneres EUV

El anuncio de la mejora de la litografía EUV de ASML llega en el momento perfecto. En un subtexto geopolítico y de competencia bastante evidente, ASML sigue siendo el único proveedor comercial de escáneres EUV. Un elemento clave para la fabricación de chips avanzados. Es por ello que Estados Unidos, Y Países Bajos, recomendaron a la compañía no seguir enviando su tecnología a China. Es por ello que estos bloqueos comerciales han hecho que China acelerara la inversión y desarrollo de sus propios escáneres. Y con ello, intensificar la producción nacional de chips.

En paralelo, en Estados Unidos están apareciendo alternativas que atacan el “punto más difícil” del ecosistema EUV: la fuente de luz. Startups nacionales como xLight y Substrate han creado grandes rondas de financiación para desarrollar enfoques competidores. xLight, por ejemplo, ha aparecido por su trabajo con tecnología tipo free-electron laser (FEL). Por otro lado, Substrate se ha presentado como una apuesta por litografía basada en rayos X con la ambición de rivalizar en resolución y, a largo plazo, incluso en capacidad industrial de categoría "fundición".

Por su parte, de China se supo que a finales de 2025, en un laboratorio de alta seguridad en Shenzhen se había montado un prototipo de máquina capaz de generar luz EUV. Para ello habría recurrido a la ingenierías inversa y a la disponibilidad de piezas de equipos antiguos en mercados secundarios, con un objetivo gubernamental de intentar producir chips funcionales en 2028.