Samsung, que ha dejado ver su SSD PCIe 6.0 con 256 TB destinado al sector empresarial y centros de datos de IA, el cual debutará el año que viene.

No ha querido desvelar demasiado la compañía coreana, pero sí que ha dejado ver los avances en lo más TOP que veremos el año que viene, y amenaza con volver en 2027 con el doble de capacidad, que se dice pronto, pero la realidad es que la entrada de EUV a las NAND Flash va a suponer su "momento CPU" de innovación, donde los saltos adelante serán, durante algunos años, espectaculares.

Samsung muestra su SSD PCIe 6.0 con CXL 3.1 y 256 TB destinado a centros de datos de IA

Lógicamente hablamos de unidades fuera del alcance de cualquier mortal, por motivos obvios. Estamos en el sector empresarial, y por tanto, del máximo rendimiento existente en el mercado, sin paliativos. Antes de empezar, un recordatorio breve para contextualizar, ya que es importante. CXL (Compute Express Link) es un estándar abierto de interconexión cache-coherente entre procesador, memoria y dispositivos aceleradores que basa su interfaz en PCIe.

Esto es relevante porque con este estándar se logra que los dispositivos conectados compartan memoria con el host de manera coherente, es decir, no tienen que estar copiando información, es transparente para todos, y por ello, al no necesitar redundancia, se reduce latencia del sistema, del servidor.

La versión 3.1 de CXL que Samsung usará el año que viene y que ha mostrado, fue lanzada en 2023 e incluye como novedad principal el llamado TSP, o Trusted Execution Environment Protocol, el cual es una medida de seguridad para entornos confiables por lo arriba explicado de la coherencia de la memoria. Dos puntos más a tratar: GIM (Global Integrated Memory) y PBR (Port Based Routing), ambos integrados en esta revisión, la cual, Samsung incluye en este SSD PCIe 6.0 con CXL 3.1.

MVP 1 256 TB, el prototipo para 2026 que tendrá un sucesor directo con el doble de capacidad para 2027

El nombre parece más enfocado a denominar el prototipo que a ser comercial, pero lo que sí que sabemos es que utilizará un conector EDSFF, quizás en factor E3.L con un PCB en forma de C mediante cables flexibles. Esto está diseñado así por su sistema de dos secciones modulares conectadas, ya que contiene la friolera de 64 módulos de NAND Flash y 9 módulos de DRAM en un solo dispositivo para hacer los 256 TB como memoria coherente.

Según se puede ver, frente al prototipo que mostraron en 2023, que ya ha llovido, Samsung ha cambiado la disposición de elementos electrónicos en el PCB, mejorando un poco más la señalización y disipación de los mismos.

Lo mejor es que habrá una versión de 512 TB justo un año después, así que en los centros de datos de IA están "dando palmas", puesto que la capacidad, velocidad y coherencia de la memoria es clave para seguir avanzando en este sector. Por dar un apunte de lo crítico que está todo este tema del almacenamiento, simplemente decir que se ha vendido todo lo que contiene 128 TB, para el resto de 2025, y parte de la productividad de 2026 está ya asignada. De hecho, no está todo vendido para el año que viene por el simple hecho de que quedaban cosas por presentar, como estas, las HBM4, las CMM-D y otros tantos productos que, en esta feria, han causado furor.

Por ello, SK Hynix, Samsung, Micron y todas las compañías chinas están apretando al máximo, no en vano, salvando a los de Pekín, ASML está vendiendo escáneres EUV como si no hubiese un mañana a las tres grandes, puesto que tanto DRAM como NAND Flash van a dar varios pasos adelante antes de terminar esta década.

Fuentes:

https://www.servethehome.com/samsung-256tb-mvp-nvme-ssd-at-fms-2025-and-more/ 

https://elchapuzasinformatico.com/2025/09/samsung-ssd-pcie-6-0-256-tb-cxl-3-1/