• Samsung logra un hito tecnológico al aumentar la densidad de la memoria DRAM en un 50% con un avance revolucionario por debajo de los 10 nanómetros.
• Este progreso sin precedentes permitirá que los dispositivos electrónicos ofrezcan mayor capacidad de almacenamiento sin necesidad de aumentar su tamaño físico. La compañía coreana ha superado una barrera clave en la miniaturización, abriendo nuevas posibilidades para la industria.

La memoria DRAM, más allá de toda la problemática relacionada con los precios y la escasez, no cabe duda de que se ha convertido en una parte vital dentro de los dispositivos. De ahí todo este drama.

Pero dejando eso a un lado, hasta ahora, los ingenieros han estado trabajando para romper un límite que parecía imposible: la barrera de los 10 nanómetros. Muchos creían que ya no se podían hacer las celdas de memoria más pequeñas sin que empezaran a fallar o a calentarse demasiado.

Samsung acaba de demostrar que todavía no se ha llegado al límite y ha anunciado que han conseguido fabricar los primeros chips que bajan de esa cifra, consiguiendo una densidad que hace solo un par de años parecía un simple sueño.

Lo maravilloso de este logro es que, al romper ese techo, Samsung ha conseguido que quepa un 50% más de información en el mismo espacio físico.

El milagro de los 4F: así es como Samsung ha conseguido que la memoria RAM crezca

El truco para conseguir esto no ha sido simplemente hacer las piezas más pequeñas, porque ya no se podía más. El cambio está en la arquitectura, en cómo se construye el chip por dentro. Han pasado de un diseño tradicional a uno que llaman Vertical Channel Transistor (VCT).

Hasta ahora, los transistores y los condensadores (los dos componentes básicos que guardan tus datos) estaban uno al lado del otro. Samsung ha cambiado todo y ahora los condensadores se apilan directamente encima de los transistores.

Esto ha permitido pasar de la estructura actual, conocida como 6F, a una mucho más eficiente llamada 4F square cell. Si antes una celda ocupaba un espacio de 3x2 (6F), y ahora ocupa solo 2x2 (4F), ese pequeño cambio es el responsable de que el área de la celda sea un 50% más pequeña. Lo mejor es que Samsung ya tiene en sus manos los primeros trozos de silicio que funcionan perfectamente con este nuevo sistema.

La gran ventaja de esta forma de apilarlas es que, cuando las piezas están más juntas y mejor organizadas, la electricidad tiene que viajar menos distancia, lo que da pie a un menor consumo de batería para tu portátil o tu smartphone.

Por supuesto, ahora mismo, el proceso está en esa fase en la que ya saben que funciona, pero todavía tienen que pulir la producción en masa. Eso sí, han fabricado las primeras obleas y han comprobado que el rendimiento es el esperado.

El siguiente paso es ajustar las máquinas de las fábricas para que no salgan chips defectuosos. Si todo va bien, esto significa que en un futuro no muy lejano, las obleas de silicio que salgan de sus plantas producirán entre un 30% y un 50% más de memoria que las actuales, lo que abaratará los costes de fabricación.

Aun así, hay que ser realistas y dejar claro que esto no va a llegar a las tiendas en un año. Este es el nacimiento de una tecnología que todavía tiene que crecer y mejorar para que millones de personas la usen. Pero el hito, no cabe duda, ya está ahí.