Samsung habría completado el desarrollo de un prototipo funcional de una memoria 3D NAND de 900 capas, un salto técnico importante dentro de la carrera por aumentar la densidad de los chips de almacenamiento. Según medios surcoreanos, la compañía ha logrado construir este prototipo uniendo dos estructuras NAND de 450 capas mediante una tecnología denominada Cell Multi Bonding (CMB). Lo importante es que no se trataría solo de una maqueta de laboratorio: Samsung asegura que ya se han verificado las características normales de funcionamiento de las celdas de memoria.

La idea básica es sencilla de explicar, aunque complejísima de fabricar. En lugar de limitarse a seguir apilando capas en una única estructura vertical, Samsung habría unido dos bloques de memoria NAND de 450 capas para formar una estructura equivalente a 900 capas. Esto coloca a la compañía mucho más cerca del objetivo simbólico de la NAND de 1.000 capas, una frontera que la industria lleva años persiguiendo para aumentar la capacidad de los SSD sin depender únicamente de reducir el tamaño físico de las celdas.

Ahora bien, los primeros SSD con memoria Samsung NAND 3D de 900 capas tardarán en llegar

El principal problema es, que cuanto más alta es la torre de capas NAND, más difíciles se vuelve la fabricación, la alineación y la fiabilidad. Para lograr el prototipo, Samsung habría tenido que resolver dos obstáculos clave: la deformación de la oblea, conocida como warpage, y los errores de alineación microscópicos durante el proceso de unión. Para ello habría utilizado un diseño avanzado de Upper Chuck, encargado de sujetar y estabilizar la oblea, además de una nueva tecnología de corrección de superposición para mejorar la precisión entre capas.

También se mencionan mejoras en las estructuras de bitline y wordline, dos elementos esenciales para leer y escribir datos dentro de la memoria NAND. En teoría, estos cambios permitirían reducir tanto el consumo energético como el tamaño final del chip, algo crítico si Samsung quiere trasladar este tipo de tecnología a SSD de centros de datos, servidores de IA y, más adelante, unidades de consumo de mayor capacidad.

En base a la información, Samsung ha conseguido un prototipo de investigación, no una memoria NAND lista para fabricación en masa. Y es que viendo como la mayoría de la memoria NAND está yendo a parar a centros de datos, servidores e IA, está claro que Samsung querrá tener cuando antes esta memoria en la calle. Y es que no hay mejor momento que en actual, con la fiebre de la IA, que esta memoria le ayudaría a romper aún más su récord actual tanto en ingresos como en beneficios gracias a la memoria.

Antes veremos la memoria V10 NAND con un diseño superior a las 400 capas

Como resumen, Samsung ha conseguido un prototipo de investigación, no una memoria NAND 3D lista para fabricación masiva. Cuando esta memoria sea una realidad, se espera que pueda permitir crear SSD de hasta 983 TB de capacidad. A corto plazo, Samsung ya trabaja en su futura V10 NAND. Hasta donde se sabe, estaría por encima de las 400 capas y apuntaría a velocidades de 5,6 Gbps por pin. Esa generación sería un paso intermedio mucho más realista antes de llegar a productos comerciales de 900 o 1.000 capas.

Por ahora, rivales como SK Hynix, ya iniciaron la producción de NAND de 321 capas, una de las cifras más altas conocidas en producción comercial. Por otro lado, la compañía china YMTC está empujando con fuerza los chips NAND de más de 300 capas. Esto implica hablar de, en el mejor de los casos, Samsung permitiría crear SSD de hasta 160 TB. SK Hynix permitiría SSD de hasta 246 TB, e YMTC de hasta 246 TB también. Todo dependerá del número exacto de capas, y si se usa memoria TLC o QLC.

Esta memoria llegará primero a donde importa: centros de datos y servidores para IA. En consumo, estos avances tardarán más en llegar y permitirá crear unidades SSD de más capacidad. Pero claro, una capacidad lógica para este mercado. Ya que las unidades de gran densidad están destinadas únicamente al mercado empresarial e IA.